收藏本站
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
*Notes:
1. V GS = 0V
0.5
*Notes:
1. V GS = 10V
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.8
-100
2. I D = 250 μ A
-50 0 50 100 150 200
o
0.0
-100
2. I D = 2.75A
-50 0 50 100 150 200
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
40
10
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
100 μ s
1ms
10ms
DC
30 μ s
6
5
4
3
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
0.1
*Notes:
o
o
2
1
T C , Case Temperature [ C ]
0.01
1
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
1000
0
25
50 75 100 125
o
150
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
2
1
0.5
0.2
0.1
P DM
0.1
0.05
0.02
*Notes:
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 1.4 C/W Max.
0.01
Single pulse
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
10
10
10
10
10
0.01
-5
-4
-3
-2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-1
1
1 ,
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD7N60NZ / FDU7N60NZTU Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
FDD8424H_F085 MOSFET N/P-CH DUAL 40V DPAK-4
FDD8424H MOSFET DUAL N/P-CH 40V TO252-4L
FDD8444L_F085 MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
FDD8444 MOSFET N-CH 40V 145A DPAK
FDD8447L MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK
FDD8451 MOSFET N-CH 40V 9A DPAK
FDD8453LZ MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
FDD850N10L MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3
相关代理商/技术参数
FDD8005 制造商:ELMEC 功能描述:
FDD8424H 功能描述:MOSFET 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD8424H_11 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P-Channel PowerTrench?? MOSFET N-Channel: 40V, 20A, 24m?? P-Channel: -40V, -20A, 54m??
FDD8424H_F085 功能描述:MOSFET PT2 P-Channel and PT4 N-channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD8424H_F085A 功能描述:MOSFET Dual N&PCH PwrTrench +/- 40V,20A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD8424H_F085A_13 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P-Channel PowerTrench?? MOSFET N-Channel: 40V, 20A, 24m?? P-Channel: -40V, -20A, 54m??
FDD8426H 功能描述:MOSFET Dual N & P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD8444 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube